Mae'r broses ffurfio haen galfanedig dip poeth rhwng y matrics haearn a'r tu allan i'r haen sinc pur, ffurfio proses aloi haearn-sinc, wyneb y gweithle mewn platio dip poeth wrth ffurfio haen aloi haearn-sinc, fel bod mae'r haen haearn a sinc pur wedi'i gyfuno'n dda.Gellir disgrifio'r broses o wifren galfanedig rholio mawr yn syml fel: pan fydd y darn gwaith haearn yn cael ei drochi yn yr hylif sinc tawdd, mae'r toddi solet sinc a haearn α-haearn cyntaf (sy'n canolbwyntio ar y corff) yn cael ei ffurfio ar y rhyngwyneb.Mae hwn yn grisial a ffurfiwyd gan y matrics haearn metel hydoddi ag atomau sinc yn y cyflwr solet.Mae'r ddau atom metel wedi'u asio â'i gilydd, ac mae'r atyniad rhwng yr atomau yn gymharol fach.
Felly, pan fydd sinc yn cyrraedd dirlawnder yn y toddi solet, mae dwy elfen atomau sinc a haearn yn ymledu â'i gilydd, ac mae'r atomau sinc sydd wedi'u gwasgaru i'r matrics haearn (neu wedi'i ymdreiddio i mewn iddo) yn mudo yn dellt y matrics ac yn raddol yn ffurfio aloi. gyda haearn, tra bod yr haearn sydd wedi'i wasgaru i'r hylif sinc tawdd yn ffurfio cyfansawdd rhyngfetelaidd FeZn13 gyda sinc ac yn suddo i waelod y pot galfanedig dip poeth, hynny yw, slag sinc.Pan fydd y darn gwaith yn cael ei dynnu o'r toddiant trwytholchi sinc, mae wyneb yr haen sinc pur yn cael ei ffurfio, sef grisial hecsagonol, ac nid yw ei gynnwys haearn yn fwy na 0.003%.
Mae galfaneiddio dip poeth, a elwir hefyd yn galfaneiddio dip poeth, yn ddull o gael haen gorchuddio metel trwy drochi aelod dur i doddiant sinc tawdd.Gyda datblygiad cyflym trosglwyddo pŵer foltedd uchel, cludiant a chyfathrebu, mae'r gofynion amddiffyn ar gyfer rhannau dur yn dod yn uwch ac yn uwch, ac mae'r galw am galfaneiddio dip poeth hefyd yn cynyddu.Fel arfer mae trwch yr haen electrogalfanedig yn 5 ~ 15μm, ac mae'r haen wifren galfanedig rholio mawr yn gyffredinol yn fwy na 35μm, neu hyd yn oed hyd at 200μm.Mae gallu cotio galfanedig dip poeth yn cotio da, trwchus, dim cynhwysion organig.
Fel y gwyddom i gyd, mae mecanwaith ymwrthedd i gyrydiad atmosfferig sinc yn cynnwys amddiffyniad mecanyddol ac amddiffyniad electrocemegol.O dan gyflwr cyrydiad atmosfferig, mae ZnO, Zn (OH)2 a ffilm amddiffynnol carbonad sinc sylfaenol ar wyneb haen sinc, sydd i raddau yn arafu cyrydiad sinc.Pan fydd y ffilm amddiffynnol hon (a elwir hefyd yn rhwd gwyn) yn cael ei niweidio, bydd ffilm newydd yn cael ei ffurfio.
Pan fydd yr haen sinc yn cael ei niweidio'n ddifrifol ac yn peryglu'r matrics haearn, bydd y sinc yn cynhyrchu amddiffyniad electrocemegol ar y matrics, potensial safonol sinc yw -0.76V a photensial safonol haearn yw -0.44V.Pan fydd sinc a haearn yn ffurfio microbatris, bydd y sinc yn cael ei ddiddymu fel yr anod, a bydd yr haearn yn cael ei ddiogelu fel y catod.Yn amlwg, mae ymwrthedd cyrydiad atmosfferig galfaneiddio dip poeth yn well na galfaneiddio trydan.
Amser postio: 20-04-23